Lieferung von Kristallsubstraten für Galliumphosphid (GAP), EinzelkristalleHersteller, MarkeShenzhen Pan American Metal Co., Ltd. begrüßt Kunden, uns zur Beratung und Verhandlung von Transaktionen zu rufen, 18928450898
Grundlegende Parameter
Material: Galliumphosphid
Modell: gap
Eigenschaften: gute Isolierung
Anwendung: Optik, Halbleiter, Luftfahrt
Typ: Einzelkristall, polykristall, Halbleiter
Marke: Pan American Metal
Anpassung des Prozesses: Ja
Ort: Guangdong
Ausführliche Beschreibung
Name des Produkts:
Substrat aus Galliumphosphid (GAP)
Einführung des Produkts:
Technische Parameter:
Kristall Struktur:
Cubic a = 5.4505
Methode des Wachstums:
Tirafa.
Dichte:
4.13 g/cm3
Der Schmelzpunkt:
1480 €84511;
Koeffizient der Wärmeausdehnung:
5.3 x10-6
Dopant:
S-dotiert; ohne
Wärmeleitfähigkeit:
2~8 x1017/cm3 ~ 6 x1016/cm3
Resistivität w.cm:
~0.03 {y:bi}
EPD (cm-2)*
< 3x10E5 "(3.65307;< 3x10E5
Allgemeine Abmessungen:
Konventionelle Kristallrichtung: < 111 >; konventionelle Größe: 10x10x0,5mm, Dia2 "x0,5mm; Polierverfassung: Ein- oder Doppelpolieren;
Hinweis: Die Richtung und Größe können je nach Kundenwunsch angepasst werden.
Bemerkungen:
Klasse 1000 super sauber Zimmer Klasse 100 super sauber Tasche
供应磷化镓(GaP)晶体基片、单晶片_厂家品牌_深圳泛美金属，欢迎广大客户来电咨询洽谈交易，18928450898
基本参数
材质：磷化镓
型号：GaP
特性：绝缘性好
用途：光学，半导体，航空
种类：单晶，多晶，半导体
品牌：泛美金属
加工定制：是
产地：广东
详细说明
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产品名称：
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磷化镓(GaP)晶体基片
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产品简介：
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技术参数：
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晶体结构：
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立方 a =5.4505
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生长方法:
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提拉法
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密度:
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4.13 g/cm3
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熔点:
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1480 ℃
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热膨胀系数：
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5.3 x10-6
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掺杂物质：
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掺S ；不掺杂
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热传导率：
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2~8 x1017/cm3 ；4~ 6 x1016/cm3
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电阻率W.cm：
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~0.03 ；~0.3
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EPD (cm-2 )：
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< 3x10E5 ；< 3x10E5
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常规尺寸：
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常规晶向：<111>；常规尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛;
注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
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备注：
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1000级超净室100级超净袋
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