Die Gitterkonstanten des GaSb-Monokristalls entsprechen den Gitterkonstanten der festen Schmelzen verschiedener ternärer, Quartärer und III-V-Verbindungen mit Bandlücken im Bereich von 0.8-4.3umAls Substratmaterial kann GaSb als Laser- und Detektor für die Infrarot-Faserübertragung eingesetzt werden. Die Netzsperrmobilität von GaSb ist höher als die von GaAs, was es zu einer möglichen Anwendung in Mikrowellengeräten macht.
Methode des Wachstums
LEC zur Flüssigkeitsdichtung
Struktur des Kristalls
Würfel
Konstante des Gitters (nm)
Null Punkt sechs Null neun
Kristallografische Ausrichtung
< 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
Abschluss des Doping
Leichte, mittlere und schwere Beimischungen
Dopant Element
Rückgängig
Die Doping
Die Doping
Doping Zn
Art der Ausführung
P
P-
N
N-
P+
Bandlücke (EV)
Null Punkt sieben fünf
Resistivität (Kombi)
Mobilität (cm2 / (V 183rd; s))
Dichte des Trägers (/cm3)
1~2 deckungsgleich 215; 1017
1~5 215a1016
2~6 215a1017
1~5 215a1016
1~5 215a1018
Dichte (EPD) (/cm2)
<5, 215a4a4a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3
Größe
Fahrgestell 934; 3 “(Nr.8243;. 215; 0.5, Kombikino-Nr.2 §8243215; 0.5, spezielle Richtung und Größe können je nach Kundenwunsch angepasst werden
Oberfläche
Einzel-, Doppel- oder Schneiden
Dicke (UM)
500, Dickentoleranz + - 10um, anpassbar
TTV (Gesamtdicke
Variation
TIR (insgesamt indiziert)
Lesen)
Bogen
WarpComment
Verpackung
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer

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GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配，所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器，GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs，使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。