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供应砷化铟InAs单晶基片 厂家品牌_深圳泛美金属
发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 618

  

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 InAs单晶作为衬底,不仅可以生长InAsSb/In-AsPSb、InNAsSb等异质结材料,用来制作波长范围为2~14μm的红外发光器件,还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。红外发光器件和红外激光器在气体监测、低损耗光纤通信等领域有非常好的应用前景。InAs单晶同时具有很高的电子迁移率,也是一种制作Hall器件的理想材料。

 

生长方法

液封提拉法LEC

晶体结构

立方

晶格常数(nm)

0.606

晶向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

掺杂元素

不掺杂

掺Sn

掺Zn

掺S

导电类型

N

N

P

N

带隙(eV)

0.354

电阻率(Ω·cm)





迁移率(cm2/(v·s))

2×104

>2000

100-300

>2000

载流子密度(/cm3

5×1016

(5-20)×1017

(1-20)×1017

(1-10)×1017

位错密度(EPD(/cm2

<5×104

尺寸

Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片或切割片

厚度(um)

500,厚度公差+-10um,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装

100级洁净袋,1000级超净室

 



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