Als Substrat kann Indiumsarsenid InAs Einzelkristallsubstrat nicht nur InAsSb in Aspsb, innassb und anderen heterojunktionellen Materialien wachsen, sondern auch zur Herstellung von Infrarot-Lichtemittiergeräten mit Wellenlängenbereich von 2-14 956m, epitaxiellem Wachstum von AlGaSb-Superlattice-Strukturmaterialien und zur Herstellung von infraroten Quantencadenlasern eingesetzt werden.Infrarot-Licht-emittierende Geräte und Infrarotlaser haben sehr gute Anwendungsmöglichkeiten in der Gasüberwachung, Low-Lost-Faser-Kommunikation und anderen Bereichen.InAs Single Crystal hat eine hohe Elektronenmobilität und ist auch ein ideales Material für Hall-Geräte.
Methode des Wachstums
LEC zur Flüssigkeitsdichtung
Struktur des Kristalls
Würfel
Konstante des Gitters (nm)
Null Punkt sechs Null sechs
Kristallografische Ausrichtung
< 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
Abschluss des Doping
Dopant Element
Rückgängig
Sn Doping
Doping Zn
S-dotiert
Art der Ausführung
N
N
P
N
Bandlücke (EV)
Null Punkt drei fünf vier
Resistivität (Kombi)
Mobilität (cm2 / (V 183rd; s))
2-Zimmer-Nr.215104
>2000
100-300
>2000
Dichte des Trägers (/cm3)
5 deckungsgleich 215; 1016
(5-20)(2151;1017
(1-20)(21215; 1017
(1-10)(1-10),215; 1017
Dichte des Standorts (EPD (/cm2)
<5, 215a4a4a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3
Größe
934; 2 €2700,215mm, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino, Kombikino,
Oberfläche
Einzel-, Doppel- oder Schneiden
Dicke (UM)
500, Dickentoleranz + - 10um, anpassbar
TTV (Gesamtdicke
Variation
TIR (insgesamt indiziert)
Lesen)
Bogen
WarpComment
Verpackung
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer

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 InAs单晶作为衬底，不仅可以生长InAsSb/In－AsPSb、InNAsSb等异质结材料,用来制作波长范围为2～14μm的红外发光器件，还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。红外发光器件和红外激光器在气体监测、低损耗光纤通信等领域有非常好的应用前景。InAs单晶同时具有很高的电子迁移率,也是一种制作Hall器件的理想材料。