5G, 전동 차 등 과학기술 이 빠르게 발전 함 에 따라 파워 반도체 의 수요 도 높 아 졌 다.3 세대 반도체 재료 인 실리콘 카바이드 (SiC) 와 질화 갈륨 (GaN) 의 발전 잠재력 에 착안 하여 월 드 컵 (6488) 은 7 월 27 일 대만 교통 대학 과 정식 계약 을 체결 하고 화합물 반도체 연구 센터 를 설립 하여 3 세대 반도체 재료 팩 을 6 인치 ~ 8 인치 탄화규소 (SiC) 와 질화 갈륨 (GaN) 에 국한 되 지 않 고 대만 지역 의 화합물 반도 체 를 신속히 구축 할 수 있 도록 공동 개발 하 였 다.산업 사슬.
세계 적 으로 실리콘 카바이드 (SiC) 와 질화 갈륨 (GaN) 은 발전 가능성 이 매우 높 은 반도체 소재 로, 다음 라운드 산업 5G, 전동 차..........................................................교통 대학 이 화합물 반도체 연구 센터 를 설립 하 는 것 은 강력 한 동맹 을 맺 는 중요 한 시작 이다."..."
진 신 홍 국립 교통 대 총장 은 "국립 교통 대가 대만 지역 반도체 연 구 를 이 끌 어 가 는 것 이 먼저 다. 예 를 들 어 대만 지역 의 첫 번 째 실리콘 웨이퍼 는 교대 실험실 에서 이 루어 진 것" 이 라 고 말 했다.교 대 는 교우 역량 을 결합 시 켜 학교 가 첨단 연 구 를 추진 하 는 데 협조 하고 5 - 10 년 에 3 - 5 개 분야 가 세계 1 위 목 표를 달성 하여 '위대 한 대학' 의 비 전 을 이 루 기 를 기대한다.본 연구 센터 에서 교통 대학 팀 은 다 중 척도 학 리 연구 특색 을 통합 시 키 고 글로벌 웨이퍼 생산 과정 과 관련 된 독특한 기술 을 결합 시 켜 이론 과 실 무 를 통합 시 켜 혁신 적 인 고 생산 능력 관련 화합물 인 반도체 웨이퍼 제조 기술 을 공동 개발 하여 빅 사이즈, 고 품질, 저 결함 웨이퍼 를 제조 하 는 것 을 목표 로 한다.
전통 적 인 반도체 실리콘 소재 에 비해 탄화규소 (SiC) 와 질화 갈륨 (GaN) 과 같은 넓 은 에너지 갭 부품 은 우수한 열전도 율 과 고속 전환 능력 을 가지 고 있어 작 동 손실 을 줄 일 수 있다. 우수한 성능 은 고온 고 전류 환경 에서 작 동 하 는 데 적합 하고 더욱 높 은 출력 과 좋 은 열 전도 를 제공 할 수 있다특성 은 5G 통신, 신속 충전 과 초고압 제품, 예 를 들 어 전동 차 분야 에 적용 되 고 시장 잠재력 을 가지 기 때문에 파워 반도체 부품 의 유망 주로 여 겨 진다.
글로벌 웨이퍼 장기 구성 화합물 반도체 재 료 는 우수한 연구 개발 팀 과 관건 적 인 특허 기술 을 가 집 니 다. 국립 교통 대학 은 반도체 의 첨단 연 구 를 깊이 연구 한 지 오래 되 었 고 풍부 한 기술 에너지 와 우수한 연구 개발 인 재 를 가 집 니 다. 공동 협력 을 통 해 화합물 반도체 연구 센터 를 설립 하면 산 학 합작 으로 연구 에 너 지 를 통합 시 키 고 연구 성 과 를 신속하게 산업 에 도입 할 수 있 습 니 다.응용 하고 대만 지역 의 화합물 반도체 산업 체인 의 시 야 를 향상 시 키 며 이 를 통 해 미래 에 앞장 서 는 우 위 를 구축한다.