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Material
Galliumphosphid (GAP) Kristallsubstrat, Single Crystal Chip
veröffentlicht : 2020-06-16 Ansichten : 7075

Galliumphosphid (GAP) ist eine Art III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Gallium (GA) und Phosphor (P) synthetisiert wird. Bei Raumtemperatur ist seine hohe Reinheit orangerot durchsichtiger chemischer Feststoff. Galliumphosphid ist ein wichtiges Material für die Herstellung von Halbleitern sichtbarer Lichtemittiergeräte, das hauptsächlich für die Herstellung von Kommutatoren, Transistoren, Lichtröhren, Laserdioden und Kühlelementen verwendet wird.

Kombi-82030;
Grundlegende Parameter
Material: Galliumphosphid
Modell: gap
Eigenschaften: gute Isolierung
Anwendung: Optik, Halbleiter, Luftfahrt
Kategorie: Einzelkristall, polykristallin, Halbleiter
Marke: Pan American Metal
Anpassung des Prozesses: Ja
Ort: Guangdong
Ausführliche Beschreibung
Name des Produkts:
Substrat aus Galliumphosphid (GAP)
Einführung des Produkts:
Technische Parameter:
Kristall Struktur:
Cubic a = 5.4505
Methode des Wachstums:
Tirafa.
Dichte:
4.13 g/cm3
Der Schmelzpunkt:
1480 €84511;
Koeffizient der Wärmeausdehnung:
5.3 x10-6
Dopant:
S-dotiert; ohne
Wärmeleitfähigkeit:
2~8 x1017/cm3 ~ 6 x1016/cm3
Resistivität w.cm:
~0.03 {y:bi}
EPD (cm-2)*
< 3x10E5 "(3.65307;< 3x10E5
Allgemeine Abmessungen:
Konventionelle Kristallrichtung: < 111 >; konventionelle Größe: 10x10x0,5mm, Dia2 "x0,5mm; Polierverfassung: Ein- oder Doppelpolieren;
Hinweis: Die Richtung und Größe können je nach Kundenwunsch angepasst werden.
Bemerkungen:
Klasse 1000 super sauber Zimmer Klasse 100 super sauber Tasche
Kombi-82030;


基本参数

材质:磷化镓

型号:GaP

特性:绝缘性好

用途:光学,半导体,航空

种类:单晶,多晶,半导体

品牌:泛美金属

加工定制:是

产地:广东


详细说明

产品名称:

磷化镓(GaP)晶体基片

产品简介


技术参数:

晶体结构

立方         a =5.4505

生长方法:

提拉法

密度:

4.13  g/cm3

熔点:

1480

热膨胀系数

5.3 x10-6

掺杂物质

掺S 不掺杂

热传导率

2~8 x1017/cm3 4~ 6 x1016/cm3

电阻率W.cm

~0.03 ~0.3

EPD (cm-2 )

< 3x10E5 < 3x10E5


常规尺寸:

常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

  • früher : Scandium
  • nächste : Substrat aus GaN