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材料
氮化镓(GaN)晶体基片
发布时间 : 2020-06-16 浏览次数 : 813

氮化镓(GaN)晶体基片 氮化镓GaN自支撑衬底 晶体 基片 5G半导体材料 LED级别

GaN具有直接带隙宽、原子键强、热导率高和抗辐照能力强等性质,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的替代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED,蓝紫、紫外光LD,紫外探测器以及高频大功率电子器件。GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/(v·s)的2-DEG,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素。

生长方法

HVPE(氢化物气象外延法)

晶体结构

六方

晶格常数(nm)

a:0.319     c:0.519

晶向

C-axis(0001) ± 0.5°

掺杂程度

轻掺、中掺、重掺

掺杂元素

导电类型

N

Semi-Insulating

带隙(eV)

3.44

电阻率(Ω·cm)

< 0.5 Ω·cm

>106Ω·cm

迁移率(cm2/(v·s))



载流子密度(/cm3



位错密度(EPD)(/cm2

<5x106

尺寸

10.0mm×10.5mm、14.0mm×15.0mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片或切割片

厚度(um)

300 ± 25、350 ± 25、400 ± 25,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装

100级洁净袋,1000级超净室





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