GaN 은 직접적 으로 구멍 이 넓 고 원자 키 가 강하 고 열 이 높 으 며 살 이 잘 안 비 치 는 성질 을 가지 고 단파 장광전자 재 료 는 물론 고온 반도체 부속품 의 대체 재료 이기 도 한다. GaN 체 계 는 파란색, 녹색 광 LED, 남색, 자외선 LD, 자외선 탐측 기 및 고주파 고성능 전자 부품 을 만 드 는 데 사용 할 수 있다.GaN 이 는 AlN, InN 등 과 혼 정 을 구성 하여 각종 이질 구 조 를 만 들 수 있 으 며 이미 저온 의 이전율 이 105cm2 / (v. s) 에 달 하 는 2 - DEG 를 효과적으로 차단 하여 광학 의 소리 산란, 이온 불순물 산란 과 압 전 산사 등 요 소 를 효과적으로 차단 할 수 있다.
성장 법
HVPE (수소 기상 외연 법)
결정 구조
육방
결정 격자 상수 (nm)
a: 0. 3. 19 c: 0.5. 19
방향.
C - X is (0.001) ± 0.5 °
섞 임 정도
살짝 섞다
요소 가 섞이다.
전도 유형
N.
Semi - Insulating
갭 있 음 (eV)
3.44
전기 저항 율 (오 메 가 · cm)
< 0.5 오 메 가 · cm
> 106 오 메 가 · cm
이전 율 (cm2 / (v · s)
캐리어 밀도 (/ cm3)
비트 밀도 (EP. D) (/ cm2)
< 5 x 106
사이즈
10.0 mm × 10.5mm, 14.0mm × 15.0 mm 로 고객 의 수요 에 따라 특수 방향 과 사 이 즈 를 맞 출 수 있다.
표면.
싱글 컷, 더 블 컷 또는 커팅 컷
두께 (um)
300 ± 25, 350 ± 25, 400 ± 25, 맞 춤 형 제작 가능
TTTV.
베 리 어 트
TIR
리 딩
Bow. Bow.
Warp.
포장 하 다.
100 레벨 클 린 백, 1000 레벨 초 정실
GaN具有直接带隙宽、原子键强、热导率高和抗辐照能力强等性质，不仅是短波长光电子材料，也是高温半导体器件的替代材料，GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED，蓝紫、紫外光LD，紫外探测器以及高频大功率电子器件。GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/(v·s)的2-DEG，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素。
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生长方法
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HVPE（氢化物气象外延法）
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晶体结构
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六方
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晶格常数(nm)
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a：0.319 c：0.519
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晶向
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C-axis(0001) ± 0.5°
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掺杂程度
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轻掺、中掺、重掺
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掺杂元素
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导电类型
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N
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Semi-Insulating
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带隙（eV）
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3.44
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电阻率（Ω·cm）
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< 0.5 Ω·cm
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>106Ω·cm
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迁移率(cm2/(v·s))
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载流子密度（/cm3）
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位错密度（EPD）（/cm2）
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<5x106
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尺寸
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10.0mm×10.5mm、14.0mm×15.0mm，可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
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表面
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单抛片、双抛片或切割片
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厚度(um)
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300 ± 25、350 ± 25、400 ± 25，可定制
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TTV (Total Thickness
Variation)
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TIR (Total Indicated
Reading)
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Bow
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Warp
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包装
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100级洁净袋，1000级超净室
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카테고리 3
