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제품
카테고리 2
갈륨 비소 GAAs 단결정 기 판본 체
게시 : 2020-06-17 조회 : 6366

GAAs [1] 은 중요 한 화합물 반도체 재료 로, 마이크로파 집적 회로, 적외선 발광 다이오드, 반도체 레이저 [2], 적외선 탐지 [3] 와 태양 전지 등 부품 을 제작 하 는 데 쓰 인 다.GaAs 단결정 기 는 나 노 구 조 를 만 드 는 GaAs 구조 에 도 응용 되 는데, 예 를 들 어 GaAs 나 노 라인 배열 [4], GaAs 나 노 어 레이 [5] 등 이다.
성장 법
수직 경사도 응고 법 (VGF) LEC HB
결정 구조
번쩍임아연광 형 구조
결정 격자 상수 (nm)
0.5. 653
방향.
(100) 、 (111)
섞 임 정도
요소 가 섞이다.
노 터치
Z 를 잡다
시 를 놓다.
전도 유형
반 절연
P.
N.
갭 있 음 (eV)
1.4.
전기 저항 율 (오 메 가 · cm)
이전 율 (cm2 / (v · s)
캐리어 농도 (/ cm3)
> 5 × 1017
비트 밀도 (EP. D) (/ cm2)
< 5 × 105
사이즈
2 촌 3 촌 4 촌 6 촌 은 고객 의 수요 에 따라 특수 방향 과 사이즈 의 기 저 를 맞 출 수 있다.
표면.
싱글 컷, 더 블 컷 또는 커팅 컷
두께 (um)
TTV.
TIR (Totalk Indicated Reading)
Bow. Bow.
Warp.

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