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材料
磷化铟InP单晶基片
发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 173

  磷化铟InP单晶基片

  InP单晶材料是最重要的化合物半导体材料之一,是光纤通信技术中的非常关键的材料,基于InP的激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光探测器等器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP同时也非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等方面。由于InP本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等诸多高技术领域有着广泛的应用.

 

生长方法

液封提拉法LEC

晶体结构

立方

晶格常数(nm)

0. 587

晶向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

轻掺、中掺、重掺

掺杂元素

不掺杂

掺S

掺Zn

掺Te

导电类型

N

N

P

N

带隙(eV)

1.34

电阻率(Ω·cm)






迁移率(cm2/(v·s))

(3.5-4)×103

(2.0-2.4)×103

(1.3-1.6)×103

70-90

≥2000

载流子密度(/cm3

(0.4-2)×1016

(0.8-3)×1018

(4-6)×1018

(0.6-2)×1018

107-108

位错密度(EPD)(/cm2

<5×104

 3×104

2×103

2×104

3×104

尺寸

Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片或切割片

厚度(um)

500,厚度公差+-10um,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装

100级洁净袋,1000级超净室

 



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