인듐 InP 단결정 기 판본 체
InP 단결정 재 료 는 가장 중요 한 화합물 반도체 재료 중 하나 로 광섬유 통신 기술 의 매우 관건 적 인 재료 이다. InP 의 레이저 다이오드 (LD), 발광 다이오드 (LED) 와 광 탐측 기 등 기 구 는 광섬유 통신 에서 정보의 발사, 전파, 확대, 수용 등 기능 을 실현 한다.InP 는 동시에 고주파 기기, 예 를 들 어 높 은 전자 이 전 률 트랜지스터 (HEMT) 와 이 질 접합 쌍 극 트랜지스터 (HBT) 등 분야 에 도 매우 적합 하 다.InP 자체 가 가지 고 있 는 우월 한 특성 때문에 광섬유 통신, 마이크로파, 밀리미터 파, 항 방사선 태양 전지, 이 질 결정 체 관 등 여러 고 기술 분야 에서 광범 위 하 게 응용 된다.
성장 법
액체 봉 리프팅 법 LEC
결정 구조
입방. 세제곱.
결정 격자 상수 (nm)
0. 587
방향.
< 100 >, < 110 >, < 111 > ± 0.5 ± 0.6 포 * 186, 또는 특수 방향
섞 임 정도
살짝 섞다
요소 가 섞이다.
노 터치
S 를 섞다.
Z 를 잡다
테 를 치다.
전도 유형
N.
N.
P.
N.
갭 있 음 (eV)
1.34
전기 저항 율 (오 메 가 · cm)
이전 율 (cm2 / (v · s)
(3.5 - 4) x 103
(2. 0 - 2. 4) × 103
(1, 3 - 16) × 103
70 - 90
≥ 2000.
캐리어 밀도 (/ cm3)
(0.4 - 2) × 1016
(0.8 - 3) × 1018
(4 - 6) × 1018
(0.6 - 2) × 1018
107 - 108
비트 밀도 (EP. D) (/ cm2)
< 5 × 104
3 × 104
2 × 103
2 × 104
3 × 104
사이즈
〃 2 × 0.5m 、 릉 3 〃 × 0.5m 、 고객 의 수요 에 따라 특수 방향 과 사 이 즈 를 맞 출 수 있다.
표면.
싱글 컷, 더 블 컷 또는 커팅 컷
두께 (um)
500, 두께 공차 + 10M, 맞 춤 형 제작 가능
TTTV.
베 리 어 트
TIR
리 딩
Bow. Bow.
Warp.
포장 하 다.
100 레벨 클 린 백, 1000 레벨 초 정실
|
카테고리 3