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材料
砷化镓GaAs单晶体基片
发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 203


GaAs[1]是重要的化合物半导体材料,用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器[2]红外探测[3]和太阳能电池等元件。GaAs单晶基片也应用于制备成纳米结构的GaAs结构,如GaAs纳米线阵列[4]、GaAs纳米锥阵列[5]等。

生长方法

垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB

晶体结构

闪锌矿型结构

晶格常数(nm)

0.5653

晶向

(100)、(111)

掺杂程度

掺杂元素

不掺杂

掺Zn

掺Si

导电类型

半绝缘

P

N

带隙(eV)

1.4

电阻率(Ω·cm)




迁移率(cm2/(v·s))




载流子浓度(/cm3



>5×1017

位错密度(EPD)(/cm2

<5×105

尺寸

2寸3寸4寸6寸可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

表面

单抛片、双抛片或切割片

厚度(um)


TTV (Total ThicknessVariation)


TIR (Total IndicatedReading)


Bow


Warp



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