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材料
锑化铟InSb单晶基片
发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 168



InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。

 

生长方法

提拉法

晶体结构

立方

晶格常数(nm)

0. 648

晶向

<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向

掺杂程度

 

掺杂元素

不掺杂

掺Te

掺Ge

导电类型

N

N

P

带隙(eV)

0.18

电阻率(Ω·cm)




迁移率(cm2/(v·s))




载流子密度(/cm3

1~5×1014

1~2×1015


位错密度(EPD)(/cm2

<2×102

尺寸

Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

表面

单抛片、双抛片、或切割片

厚度(um)

Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制

TTV (Total Thickness

Variation)


TIR (Total Indicated

Reading)


Bow


Warp


包装

100级洁净袋,1000级超净室

  



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