InSb是一种重要的化合物半导体，主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。
|
生长方法
|
提拉法
|
|
晶体结构
|
立方
|
|
晶格常数(nm)
|
0. 648
|
|
晶向
|
<100>、<110>、<111>±0.5º、或特殊方向
|
|
掺杂程度
|
|
|
掺杂元素
|
不掺杂
|
掺Te
|
掺Ge
|
|
导电类型
|
N
|
N
|
P
|
|
带隙（eV）
|
0.18
|
|
电阻率（Ω·cm）
|
|
|
|
|
迁移率(cm2/(v·s))
|
|
|
|
|
载流子密度（/cm3）
|
1~5×1014
|
1~2×1015
|
|
|
位错密度（EPD）（/cm2）
|
<2×102
|
|
尺寸
|
Φ2″×0.5可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸
|
|
表面
|
单抛片、双抛片、或切割片
|
|
厚度(um)
|
Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm，可定制
|
|
TTV (Total Thickness
Variation)
|
|
|
TIR (Total Indicated
Reading)
|
|
|
Bow
|
|
|
Warp
|
|
|
包装
|
100级洁净袋，1000级超净室
|
单质